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有關(guān)“深圳市大功率半導(dǎo)體激光芯片工程研究中心組建項目”之"電感耦合等離子刻蝕(ICP-RIE)系統(tǒng)采購項目"的招標(biāo)公告書
發(fā)布時間:2025-01-08
瀏覽量:1219 次

項目基本情況

序號

內(nèi)    

說明與要求

1

項目名稱

電感耦合等離子刻蝕(ICP-RIE)系統(tǒng)采購項目

2

項目概況

本項目為電感耦合等離子刻蝕(ICP-RIE)系統(tǒng)采購項目

3

招標(biāo)人

深圳瑞波光電子有限公司

4

招標(biāo)方式

公開招標(biāo)

5

最高投標(biāo)限價

預(yù)算含稅價為RMB 3600000元(人民幣 叁佰陸拾萬元)

各投標(biāo)人的投標(biāo)報價均不得高于此預(yù)算,高于此預(yù)算的投標(biāo)報價將被視為無效報價。

6

資金來源

政府經(jīng)費(fèi)

7

交期和收貨地點(diǎn)

交期:合同簽訂后6個月內(nèi),需完成交貨、安裝調(diào)試并驗收合格。

收貨地點(diǎn):深圳市龍華區(qū)大浪街道浪口社區(qū)華榮路496號德泰工業(yè)區(qū)10棟

8

付款方式

簽訂合同后預(yù)付30%+設(shè)備發(fā)貨前支付60%+設(shè)備到廠驗收完成后支付10%

9

驗收要求

詳見電感耦合等離子刻蝕(ICP-RIE)系統(tǒng)招標(biāo)技術(shù)要求10

10

質(zhì)保期

除專用合同條款和(或)供貨要求等合同文件另有約定外,合同設(shè)備整體質(zhì)量保證期為驗收之日起12個月。如對合同設(shè)備中關(guān)鍵部件的質(zhì)量保證期有特殊要求的,供需雙方可在專用合同條款中約定

11

包裝要求 

符合產(chǎn)品運(yùn)輸要求

12

運(yùn)輸要求

運(yùn)輸費(fèi)用由供應(yīng)商負(fù)責(zé)。應(yīng)有良好的防濕、防銹、防潮、防雨、防腐及防碰撞的措施。凡由于包裝不良造成的損失和由此產(chǎn)生的費(fèi)用均由投標(biāo)方承擔(dān)。

13

招標(biāo)范圍

本次招標(biāo)的標(biāo)的為1套電感耦合等離子刻蝕(ICP-RIE)系統(tǒng)。項目包括:設(shè)計、制造、配套、運(yùn)輸、安裝、調(diào)試、服務(wù)、技術(shù)培訓(xùn)、驗收合格交付使用及質(zhì)保期內(nèi)的服務(wù)等一體化招標(biāo)工程。

14

投標(biāo)人資格要求

1)投標(biāo)人應(yīng)在中華人民共和國境內(nèi)注冊并具有獨(dú)立的法人資格;

2)響應(yīng)人具有健全的財務(wù)會計制度及良好的財務(wù)狀況;

3)投標(biāo)人自20211月1日至今,承擔(dān)過1項與本項目類似的單項合同額300萬及以上的業(yè)績。業(yè)績證明材料:合同或訂單【類似業(yè)績:提供采購合同或訂單,時間以簽訂時間為準(zhǔn)】

4)具有依法繳納稅收和社會保障資金的良好記錄;

稅收繳納證明:提供投標(biāo)文件遞交時間前一年內(nèi)任意3個月的納稅證明或完稅證明,依法免稅的單位應(yīng)提供相關(guān)證明材料;

社會保障資金繳納證明:提供投標(biāo)文件遞交時間前一年內(nèi)任意3個月的社會保障資金繳存單據(jù)或社保機(jī)構(gòu)開具的社會保險參保繳費(fèi)情況證明,依法不需要繳納社會保障資金的單位應(yīng)提供相關(guān)證明材料。

5)最近三年內(nèi)沒有騙取中標(biāo)和嚴(yán)重違約等重大違法記錄。(自擬格式進(jìn)行承諾說明)并提 “ 信 用 中 國 ” 網(wǎng) 站(www.creditchina.gov.cn)查詢相關(guān)主體無失信記錄(網(wǎng)站查詢的截圖加蓋投標(biāo)人公章,查詢時間為公告發(fā)布之日起至投標(biāo)文件遞交截止時間);

6)是否接受聯(lián)合體投標(biāo):接受。

7)未盡事宜,遵照法律法規(guī)及其他相關(guān)規(guī)定執(zhí)行。

15

是否接受分包

接受設(shè)備分包

(備注:涉及設(shè)備到廠后的安裝工程類可分包)

16

質(zhì)疑提交

時間:2025118 18:00前;

17

投標(biāo)有效期

 30 日(從投標(biāo)截止之日算起)

18

投標(biāo)保證金

本次項目無投標(biāo)保證金

19

投標(biāo)文件份數(shù)

正本1份,副本1份,投標(biāo)文件電子版1份(加蓋投標(biāo)人單位公章

20

        

招標(biāo)項目的潛在投標(biāo)人應(yīng)采取書面方式提交報名材料,無須到現(xiàn)場申領(lǐng)。獲取招標(biāo)文件后,投標(biāo)方須于2025年122日12:00點(diǎn)前提交投標(biāo)文件(正式報價單、方案書、營業(yè)執(zhí)照、公司介紹等)

21

開標(biāo)時間地點(diǎn)

線下開標(biāo):

時間: 202512414:00,投標(biāo)文件同時送達(dá)。

開標(biāo)地點(diǎn):深圳市龍華區(qū)大浪街道浪口社區(qū)華榮路496號德泰工業(yè)區(qū)10棟4會議室。

22

評標(biāo)辦法

詳見招標(biāo)文件第11~13頁共3

23

合同簽訂

中標(biāo)人在收到中標(biāo)通知后15個工作日內(nèi)簽訂合同(遇法定節(jié)假日順延合同簽訂時間)

備注:中標(biāo)者必須于30日內(nèi)提供 ICP-RIE設(shè)備的所有廠務(wù)需求規(guī)格

24

保密要求 

根據(jù)甲方對敏感信息管控事宜的有關(guān)要求,無條件履行相關(guān)保密義務(wù)

25

招標(biāo)人

聯(lián)系方式

聯(lián)系人:陶小芳            

電話:0755-86566695/15218710786

電子郵箱:taoxiaofang@raybowlaser.com

電感耦合等離子刻蝕(ICP-RIE)系統(tǒng)招標(biāo)技術(shù)要求

1. 用于化合物半導(dǎo)體材料干法刻蝕,如:GaAs基材料系、InP基材料系干法刻蝕;
2. 載片量:一次載入3片3英寸晶圓片配置單工位和3工位載盤;
3. 電極溫度:(0 or RT)-250偏置RF功率≥600W,ICP RF刻蝕功率 ≥1000W;
4. 10路制程氣路: 7路非腐蝕性氣體(MFC) CH4/H2/SF6/O2/Ar/PN2,1路備用;
                             3路腐蝕性氣體(MFC) Cl2/BCl3/HBr;
5. 終點(diǎn)偵測系統(tǒng):含光發(fā)射譜終點(diǎn)偵測儀(OES-EPD)和激光干涉終點(diǎn)監(jiān)測儀(LI-EPD);

6. 自動工藝控制軟件,友好的recipe編輯頁面;

7. 制程要求HBr蝕刻氣體,蝕刻GaAs/AlGaAs和GaInP/AlInP外延材料,

1. Ridge蝕刻(深度約1.5 um)形貌:蝕刻區(qū)域底部光滑,

undercut,無notching,無subtrench,footing輕微(10%);

2. 蝕刻深度非均勻性:3”wafer片內(nèi) ≤±3%,3片3”wafer片間≤±5%

±非均勻性=± Max-Min)/(2*Average)*100%)

8. 設(shè)備適合穿墻(潔凈室彩鋼板)安裝;供應(yīng)商提供詳細(xì)廠務(wù)需求表;
附加審核條件:凡參與投標(biāo)者,須提供充分資料滿足瑞波的疑問。


具體內(nèi)容詳見附件:

電感耦合等離子刻蝕(ICP-RIE)系統(tǒng)-招標(biāo)項目書-深圳市大功率半導(dǎo)體激光芯片工程研究中心組建項目-2025年1月8日.docx

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